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随着大规模集成电路中布线之间的距离逐渐减小，为避免传输信号的延迟与损耗，层间绝缘薄膜材料要求必须具有低的介电常数。

作为重要的绝缘薄膜材料，聚酰亚胺（PI）材料的低介电化研究已成为研究的热点，许多高性能的PI衍生物及其纳米复合材料已用于电子及航空航天领域，而制备多孔性PI薄膜是降低材料介电常数较为有效的方法之一。

近期，日本东北大学研究人员以两种不同粒径的二氧化硅微粒（MPs）作为模板，探索了制备多孔性薄膜的工艺，成功制备了具有高孔隙率的PI薄膜，并通过透射电子显微成像技术（TEMT）清晰地观察到了薄膜的三维（3D）多孔结构。

来源：日本东北大学

研究人员考察了PI薄膜的介电性能与多孔结构、孔隙率之间的关系，通过引入多孔结构，薄膜的介电常数（ε）与普通PI薄膜相比显著降低。

来源：日本东北大学

研究发现，使用具有不同粒径的二氧化硅MPs，薄膜的孔隙率明显增加（约10%）、介电常数进一步降低。